MASTERGAN1 High Bridge Density Half-Bridge

Vysokonapěťový budič polovičního můstku STMicroelectronics s vysokou hustotou výkonu obsahuje dva GaN HEMT s vylepšeným režimem 650 V

STMicroelectronics 'MASTERGAN1 je první 600 V poloviční můstek s GaN HEMT systémem v balíčku (SiP) na světě a prvním prvkem platformy MASTERGAN. MASTERGAN1 je kompaktní, což umožňuje implementovat napájecí zdroj s vysokou hustotou výkonu, dokonce čtyřikrát menší než napájecí zdroj založený na přepínačích MOSFET, a to díky vyšší spínací frekvenci GaN a vysoké integraci ovladače a dvou přepínačů GaN ve stejném balík. Nabízí také robustnost. Ovladač offline je optimalizován pro GaN HEMT pro rychlou, efektivní a bezpečnou jízdu a zjednodušení rozložení. Správa diskrétních přepínačů GaN může být náročná, ale vestavěný ovladač spravuje přepínače GaN, aby zjednodušil návrh napájení.