Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Part Number | TRS6E65C,S1AQ | Výrobce | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Popis | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L | Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 12637 pcs stock | Datový list | TRS6E65C,S1AQ.pdf |
| Napětí - Peak Reverse (Max) | Silicon Carbide Schottky | Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 6A (DC) |
| Napětí - Rozdělení | TO-220-2L | Série | - |
| Stav RoHS | Tube | Reverse Time Recovery (TRR) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Odpor při IF, F | 35pF @ 650V, 1MHz | Polarizace | TO-220-2 |
| Ostatní jména | TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND |
Provozní teplota - spojení | 0ns |
| Typ montáže | Through Hole | Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 12 Weeks | Výrobní číslo výrobce | TRS6E65C,S1AQ |
| Rozšířený popis | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L | Konfigurace dioda | 90µA @ 650V |
| Popis | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L | Proud - zpìtný únikový @ Vr | 1.7V @ 6A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode) | 650V | Kapacitní @ Vr, F | 175°C (Max) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Od 35,00 $ základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Od 35,00 $ základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
| UPS | www.UPS.com | Od 35,00 $ základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
| TNT | www.TNT.com | Od 35,00 $ základní poplatek za dopravu závisí na zóně a zemi. |
